国产澜起科技DDR4全缓冲架构纳入国际标准 正研发DDR5内存

　　在存储芯片领域，DRAM内存及NAND闪存的国产率都基本是0，技术及产能主要掌握在三星、SK Hynix、美光、东芝等公司手中，尤其是高价值的DRAM内存芯片，三星、SK Hynix及美光三家公司占了全球95%的份额。

　　国内的DRAM内存芯片布局主要有合肥长鑫/兆易创新的内存芯片项目，福建晋华与台联电合作的内存项目由于被美国制裁而陷入了困境。除了DRAM芯片，国内还是一些公司主攻内存接口芯片，前不久宣布津逮系列国产X86处理器的杭州澜起科技就是其中之一，该公司正在申请国内的科创板上市，日前在招股书中披露了他们在DDR内存芯片上的技术进展及布局。

　　澜起科技成立于2004年，是全球内存接口芯片的主要供应商之一，凭借领先的技术水平，在DDR4阶段逐步确立了行业领先优势，公司2018年营业收入175,766.46万元，净利润73,687.84万元。

　　澜起科技发明了DDR4全缓冲“1+9”架构，最终被JEDEC国际标准采纳。公司凭借具有自主知识产权的高速、低功耗技术，为新一代服务器平台提供完全符合 JEDEC 标准的高性能内存接口解决方案，同时正积极参与DDR5 JEDEC 标准的制定，是全球可提供从DDR2到 DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一，在该领域拥有重要话语权。

　　目前，公司根据内存模组制造商的研发进度，积极布局研发DDR5存接口芯片，新一代产品能够有效支持DDR5的高速、低功耗等要求。

　　根据澜起科技的公告，在内存接口芯片业务领域，为巩固公司的市场领先地位，澜起在未来三年完成第一代DDR5内存接口芯片的研发和产业化。