三星：公司3nm领先台积电一年 领先英特尔三年

　　尽管日韩贸易冲突持续延烧，三星电子原定9月在日本东京的晶圆代工论坛将如期举行。三星届时预料将展示自家先进制程技术，并提供用于生产3纳米以下芯片，名为「环绕闸极」(GAA)技术的制程套件。三星据称在GAA技术领先全球晶圆代工龙头台积电一年，更超前英特尔(Intel)两到三年。

　　南韩媒体BusinessKorea报导，三星28日宣布，2019年「三星晶圆代工论坛」(SFF)将如期于9月4日在东京举行，且已于26日在网站上开始受理报名。在日韩贸易紧张不断升高之际，业界正怀疑这场论坛能否如期在东京举行，三星这项决定消弭了外界的疑虑。

　　产业专家分析，三星想要传达的讯息是，尽管面临日本的「断货」威胁，三星电子旗下的晶圆代工事业不受中断。

　　报导指出，三星将展示自家奈米制程技术，并提供名为「环绕闸极」(GAA)技术的制程套件。GAA技术将用于3纳米、甚至更精密的制程技术。

　　日本当局在4日加强管制三项重要半导体原料的出口，其中，日制光刻胶为极紫外光(EUV)微影技术的关键材料，让三星的晶圆代工部门首当其冲，也削弱与台积电在7纳米芯片的竞逐能力。

　　EUV制程是三星欲在2030年于全球记忆体、无晶圆厂及晶圆代工业务稳坐龙头宝座的关键。在EUV制程与台积电旗鼓相当的三星电子，正快马加鞭量产7纳米芯片，盼能借提前进度超车台积电。但日本本周非常可能把南韩踢出「白色名单」，三星的高科技原料进口预料将更加受限。

　　三星预定未来几个月完成位于华城的第一条EUV芯片产线，并计划之后在京畿道平泽建设另一条EUV产线。如今，三星一名高阶主管指出，「考量到当前情况，我们必须考虑投资新EUV产线的时机」。

　　三星电子自5月开始陆续在美国、上海及首尔举办晶圆代工论坛，待9月论坛落幕后，下一场将论坛于10月在德国慕尼黑登场。

　　台积电回应： 有信心维持领先

　　面对三星积极冲刺晶圆代工，并企图在3 纳米制程超车台积电，台积电发言系统表示，不对竞争对手的技术发展做任何评论，并强调绝有信心在7纳米、5纳米，甚至3纳米制程持续维持全球领先地位。

　　台积电供应链分析，台积电在制程推进深思熟虑，且有雄厚客户群为后盾，让台积电每推出一项先进制程，绝对满足客户的性价比，且不与客户竞争，是领先群雄的最大利基。

　　台积电目前的7纳米电晶体的密度，已非三星能匹敌，台积电遥遥领先三星后，再导入更先进的5纳米制程，虽然三星急于想在3纳米切入GAA电晶体设计架构，认为要用更先进的技术，抢食台积电现有客户，但进入5纳米后的光罩费用极为昂贵，更遑论3纳米制程。

　　三星虽然在记忆体一直保持领先地位，因此也想复制记忆体成功模式，在晶圆代工挑战台积电地位。