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三星14nm处理器性能卓越 秒杀骁龙

2015-05-07 11:35
原创

  Galaxy S6、S6 Edge不仅在手机设计上开启了三星的一个新时代,同时在硬件上也是革命性的,因为它首次抛弃了高通骁龙平台,只用自家的Exynos。

  高通骁龙810过热,而三星的Exynos 7420却是大红大紫,64位八核架构、14nm工艺、出色的性能,都让它出尽了风头。AnandTech今天也放出了对S6、S6 Edge的完整评测,其中就有Exynos 7420的性能测试。

三星14nm处理器性能卓越 秒杀骁龙

  【神奇的14nm工艺】

  Exynos 7420的制造工艺是三星旗下Systems LSI自己开发的14nm LPE (Low Power Early),而这也是继Intel 14nm之后,第二个达到如此先进程度的半导体工艺,但是Intel的新工艺目前还只用在PC和平板领域,并未进入手机。

  得益于先进的工艺,Exynos 7420的核心面积只有大约78平方毫米,相比于20nm LPE工艺、同样八核A57/A53、113平方毫米Exynos 5433缩小了足足44%!而且别忘了,Exynos 7420还多了两个GPU核心,所以能瘦身这么多实在值得佩服。

  除了内存控制器从LPDDR3升级为LPDDR4,新处理器的另一个明显变化是移除了HEVC H.265编码器模块,H.265的编码和解码都交给了三星新的MFC(多功能解码)媒体硬件加速模块。

三星14nm处理器性能卓越 秒杀骁龙

  S6主板和处理器等芯片

三星14nm处理器性能卓越 秒杀骁龙

  Exynos 7420内核金属层显微照片

  FinFET立体晶体管技术的加入也异常重要,解决了传统平面晶体管在工艺提升后漏电率无法控制的难题,实际效果也非常棒:

三星14nm处理器性能卓越 秒杀骁龙

  Exynos 5433、7420供电电压对比

  AVS也就是适应性电压缩放(Adaptive Scaling Voltage),后边的数字代表不同级别,越大代表芯片质量越好。

  FinFET立体晶体管的好处在A57、GPU上体现得尤为明显,电压能降低最多275mV(毫伏),A53上也能降低最多160mV。


  我们知道,功耗和电压的二次方成正比,所以1.9GHz A57的电压从1287.50mV降低到1056.25mV,功耗就能节省48%!

  正是利用这样省出来的空间,Exynos 7420才可以跑到更高的频率上,A57、A53最高分别可达2.1GHz、1.5GHz,相比于Exynos 5433都提高了200MHz,而且运行中能一直稳定在较高频率,不像骁龙810那样一会儿就会过热降频。

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  GPU部分集成了更强大的ARM Mali-T760MP8,八个核心,频率772MHz(低负载最高700MHz),明显高于Exynos 5433 Mali-T760MP6的六个核心、700MHz(低负载最高600MHz)。

  事实上,三星还隐藏了一个852MHz的更高频率状态,但并未启用,看来是留有后招。

  关于内存,Exynos 7420现在支持LPDDR4-1555,带宽高达24.88GB/s,几乎是上代13.20GB/s的两倍了。

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