2022 年全球存储市场规模触及 1298 亿美元,占集成电路市场的 27.4%。国际半导体产业协会(WSTS)将半导体行业细分为集成电路、分离器件、光电元件和传感器四大类别。其中,2022 年全球半导体市场规模总计 5741 亿美元,集成电路市场规模为 4744 亿美元,占总额的 82.6%。存储器作为集成电路的重要部分,市场规模达 1298 亿美元,占半导体市场的 22.6%,位居第二大细分领域,仅次于逻辑电路。
存储芯片周期性波动明显,与半导体行业整体周期紧密关联。作为半导体产业的重要分支,存储芯片的市场波动曲线相较半导体整体市场更为陡峭,表现出更强的周期性。在计算与无线通信市场蓬勃发展、数据量急剧增加及通信技术进步的背景下,2021 年存储产品的计算与无线通信应用占比分别达到了 47.0% 和 37.3%,成为存储产品需求的重要领域。
DRAM 和 NAND Flash 为存储市场的主导力量。根据类型划分,DRAM 属于易失性存储器,其中 DDR5 渗透率逐步提升,适用于 PC 和服务器等领域;LPDDR 则主要应用于移动设备。相比之下,NAND Flash 属于非易失性存储器,其中 3D NAND 技术因其高存储密度而成为主流,从而不断推动存储密度的提升。
海外厂商主导全球存储市场竞争格局。DRAM 领域由三星、美光和 SK 海力士三大巨头近乎垄断,市场份额占比超过 95%。NAND 领域则由三星、铠侠、西部数据、美光科技和 SK 海力士等公司主导,SK 海力士并购英特尔 NAND 业务后,市场集中度进一步提升。中国台湾和大陆厂商在 NOR 领域占有一定市场份额。
2. 储存行业周期性表现及其影响因素自 2013 年至 2016 年,全球存储市场经历了显著的周期波动。2014 年市场规模首次突破 800 亿美元大关,随后 2016 年 DRAM 市场需求增长放缓,特别是在智能手机市场,DRAM 价格在 2016 年中期触底反弹。其中,移动端 DRAM 需求增长取代 PC 市场成为主要驱动力。2017 年至 2018 年,存储市场规模再次大幅增长,服务器市场的强劲需求以及智能手机存储容量升级成为主要推动力。
DRAM 市场的周期性表现与其产能扩展、技术创新以及供需平衡密切相关。例如,2013 年至 2014 年,产能收缩和技术升级导致 DRAM 供应增长放缓,价格随之上涨。2017 年至 2018 年,三大 DRAM 厂商虽有扩产动作,但由于新增产能未能即时影响市场供需,价格在 2017 年底至 2018 年底依然走高。然而,进入 2019 年,行业库存过高,需求疲软,导致 DRAM 价格进入下行通道。
回顾存储厂商股价与内存 ASP 的关联,可以看出海外龙头厂商股价通常在内存 ASP 见底前一个季度左右触底,并在 ASP 见顶区间晚于 ASP 开始下降。
3. 当前市场状况与未来趋势2021 年存储市场规模同比增长 30.9%,达到 1538 亿美元。主要厂商如 SK 海力士、三星电子和美光科技已在 DRAM 和 NAND 产能减产以及资本开支调整上达成共识,以应对当前市场供需失衡和库存压力。此外,三家厂商均预测高内存容量的移动端产品和服务器领域将成为 2023 年下半年市场需求增长的重点。
AI 技术的快速发展与广泛应用为存储市场开启了新一轮上升周期的可能性。AI 的兴起带动数据量呈爆发式增长,对存储技术提出了更高要求,如大容量、高性能和多样性。随着服务器出货量短期调整,长期增长趋势不变,AI 服务器市场需求持续走强,平均内存容量显著提升。特别是,AI 服务器对高性能的 HBM 存储需求高涨,驱动 HBM 市场快速增长,预计未来几年市场规模有望翻番。
综上所述,尽管当前存储行业面临短期压力,但随着头部厂商的产能调整和 AI 等新技术领域的拓展,新一轮的市场上升周期已渐露端倪。
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